7月11日晚间，星河微电(688689)发布公告，公司拟以3.1亿元投资引申“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房成就形式”，旨在晋升公司集成电路分立器件产物的分娩加工能力，扩大分娩畛域。

　　公告表示，本次投资资金源流为公司自有资金或自筹资金，成就周期30个月，谋略通过购置地盘及开展厂房土建工程，为后续高端集成电路分立器件产业化基地成就奠定基础。

　　看成国内进步的半导体分立器件制造商，星河微电主要产物包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源处治IC收用三代半导体（SiC、GaN）器件，产物平淡垄断于汽车电子、破钞电子、工业限度、新动力及5G通讯等畛域。

　　连年来，受益于卑劣需求的强劲运转，我国半导体分立器件行业市集畛域不竭扩大，业内企业接踵得益红利。2022年至2024年，星河微电买卖收入分散为6.76亿元、6.95亿元、9.09亿元，呈逐年飞腾态势。公司示意，受分娩场所、诱骗及东说念主力资源的铁心，刻下产能已难以怡悦日益增长的市集需求，本次鞭策关系半导体分立器件产能畛域彭胀，可促进业务发展，进一步晋升盈利水平。

　　现在，硅材料平台仍然是主流的半导体分立器件工艺平台，并将在改日相当一段技能内占据主要市集，但新的半导体材料，如SiC、GaN工艺平台正在冉冉走向锻练，并在新动力汽车、光伏逆变器等场景的垄断占比显贵晋升。

　　2024年，公司当令优化产物结构，要点晋升MOS产物、TVS及稳压管产物的销售占比，推动产销量稳步增长，特地是在车规级半导体器件产业化形式方面，客户拓展取得显贵阻挡。与此同期，进一步鞭策光电器件及IGBT器件扩产，加大对新增诱骗干涉。

　　为抢合手市集机遇，星河微电不竭加速高端产物研发及产业化流程。现在，公司初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片贪图能力，何况竣事了小批量垄断。

　　在新产业布局方面，星河微电“车规级半导体器件产业化”形式进入产能爬坡阶段，产物涵盖IGBT、SiC MOSFET等，取得多家车企供应链认证，聚焦新动力汽车的电机限度、车载充电系统及ADAS畛域，怡悦AEC-Q101等国际车规门径，冉冉替代英飞凌、安森好意思等国外厂商的中高端市集份额。同期，光电耦合器及LED产物已垄断于工业自动化、医疗诱骗等畛域， 并与多家客户互助体育游戏app平台，开发高精度传感器及电源处治模块。